disodium lauryl sulfosuccinate 95 ٪ مسحوق
مقدمة موجزة:
Disodium lauryl sulfosuccinate هو سطحي أنيوني من الكبريتات ، التي أعدتها عملية خاصة دون إضافة مواد حافظة ، وهي عبارة عن سطحية خفيفة مع ذوبان المياه الجيدة. يمكن استخدامه بالاقتران مع السطحي الحمض الأميني لصنع مسحوق التطهير لتقليل التكاليف.
يحتوي Disodium Lauryl Sulfosuccinate على نقطة عالية من Krafft ، ويمكن أن يشكل محلوله المائي عالي التركيز كمية كبيرة من البلورات في درجة حرارة الغرفة ، لذلك ينتج معجونًا بيرليزنت مشرقًا مع إمكانية انتشار جيدة وتأثير قليل من التغيرات في درجة الحرارة. وهي أيضًا مادة خام مثالية للمنظفات المعجون الحمضية قليلاً.
عناصر:
| الاسم الكيميائي | تركيز (٪) | أرقام CAS |
| disodium lauryl sulfosuccinate | 95.0 ~ 99.0 | 26838-05-1 |
| ماء | 1.0 ~ 5.0 | 7732-18-5 |
أداء المنتج:
★ انخفاض تهيج للغاية ، منظفات قوية ، الفاعل بالسطح المعتدل ؛
★ المنتج حمضي ضعيف ويسهل تشكيل معجون ، مع بيرسسينت مشرق ومستقر وسهل الانتشار ؛
★ قابل للذوبان بسهولة في الماء ، أكثر ملاءمة للعمل والنقل ؛
★ رغوة غنية ، حساسة ، مستقرة ، لا شعور دهني ، من السهل شطف ، منعش بعد الغسيل ، وليس ضيق ؛
★ مقاومة الماء العسر ، قابلية التحلل الحيوي الجيد ؛
★ الغسيل الممتاز ، المستحلب ، التشتت ، الترطيب ، الذوبان وغيرها من الخصائص.
مواصفات Disodium Lauryl sulfosuccinate (DLSS) مسحوق 95 ٪:
| عناصر الاختبار | تحديد |
| المظهر (25 ℃) | أبيض إلى مسحوق أبيض |
| محتوى | ما لا يقل عن 95.0 ٪ |
| قيمة الرقم الهيدروجيني (1 ٪ محلول مائي) | 5.0 ~ 7.0 |
| ماء | ليس أكثر من 5.0 ٪ |
| المادة النشطة | لا يقل عن 80.0 ٪ |
| كبريتيت الصوديوم | ليس أكثر من 0.5 ٪ |
| معدل تمرير 150 شبكات (≈100μm حجم الجسيمات) | ما لا يقل عن 85.0 ٪ |
نطاق التطبيق:
1) منظف الوجه الحمضي الضعيف ، كريم حلاقة الرغوة ؛
2) منظف الوجه الرغوي ، جل دش ، صابون اليد ؛
3) مسحوق التطهير.
الاستخدام والجرعة:
الجرعة العامة لمستحضرات التجميل: 5 ٪ ~ 30 ٪.
التغليف:
1 كجم/حقيبة رقائق الألومنيوم ، أسطوانة 20 كجم/ورق أو وفقًا للمتطلبات المحددة من العملاء.
ظروف التخزين:
المحفوظة في الحاويات الأصلية غير المفتوحة في مكان جاف بارد قبل الاستخدام ؛ ابتعد عن أشعة الشمس المباشرة والحرارة والرطوبة.
حياة الوجه:
12 شهرًا إذا تم تخزينها في ظل ظروف التغليف والتخزين المذكورة أعلاه.
